在二维晶体中，转角工程twist engineering可用于设计具有层展性质的范德瓦尔斯异质结构。在磁体的情况下，这种方法可以提供具有定制自旋排列的人工反铁磁体。
近日，西班牙 瓦伦西亚大学 (Universitat de València) Carla Boix-Constant，Samuel Mañas-Valero & Eugenio Coronado等，在Nature Materials上发文，报道制备了一种正交双层转角 二维反铁磁半导体溴化硫化铬chromium sulfide bromide，CrSBr，并将两个具有易磁化轴平面内自旋各向异性的CrSBR铁磁单层90°转角。
磁输运性质揭示了具有磁滞开口的多步磁化翻转，这在原始情况下，是不存在的。通过调节磁场，调节了剩磁状态和矫顽力，并在磁滞和非磁滞磁电阻方案之间进行选择。这种复杂性，使自旋各向异性成为转角磁性超晶格的关键方面之一。
该项结果突出了，磁性调控范德瓦尔斯异质结构，并产生了各种场诱导现象，从而为创建所需的磁对称性和操纵非共线磁配置开辟了富有成效的平台。
图1:正交双层转角chromium sulfide bromide，CrSBr中， 磁阻magnetoresistance，MR的磁场依赖性。
图2:正交双层转角CrSBr中，磁阻MR的场和温度依赖性。
图3:正交双层转角CrSBr中，具有磁记忆的多步磁化翻转。
图4:正交双层转角CrSBr中，场致自旋织构。
小编：四川金中德科学技术研究院
来源：今日新材料
